全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌，行業(yè)整合步伐加速。作為電力控制/節(jié)能減排核心半導(dǎo)體器件，功率半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于從家電、消費(fèi)電子到新能源汽車、智能電網(wǎng)等諸多領(lǐng)域。隨著功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整合步伐急速提升，新能源全產(chǎn)業(yè)鏈勢(shì)頭正旺，IGBT等高 端器件迎來(lái)需求爆發(fā)期。

直播時(shí)間：2021.6.23 上午10:00

影響IGBT模塊可靠性和穩(wěn)定性因素眾多，包括芯片位置的確定、不同材料的熱膨脹系數(shù)及其持性、回流爐回流曲線及其他參數(shù)的設(shè)置等，要能大批量地生產(chǎn)出可靠性、穩(wěn)定性高的IGBT模塊，需要經(jīng)過長(zhǎng)期研發(fā)試驗(yàn)和經(jīng)驗(yàn)積累，才能了解器件和材料特性，掌握生產(chǎn)工藝、找到較為合適的方案。本期直播ITECH技術(shù)專家將結(jié)合實(shí)際案例，與您分享：IGBT的參數(shù)測(cè)試、模塊功率循環(huán)試驗(yàn)、雙脈沖測(cè)試、智能電源開關(guān)IPS老化等一系列測(cè)試解決方案。

直播大綱

1.功率半導(dǎo)體器件發(fā)展歷史

功率半導(dǎo)體器件：二極管? 晶閘管? 硅基MOSFET ? 硅基IGBT。

2.結(jié)合ICE標(biāo)準(zhǔn)解析IGBT測(cè)試案例

案例1：IGBT單元的參數(shù)測(cè)試

案例2：IGBT模塊功率循環(huán)試驗(yàn)——目前*有效的IGBT模塊壽命評(píng)估的實(shí)驗(yàn)依據(jù)

案例3：電動(dòng)汽車IGBT模塊的雙脈沖測(cè)試

案例4：智能電源開關(guān)IPS老化測(cè)試（IPS由MOSFET或IGBT組成）

3.IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展

IGBT的應(yīng)用場(chǎng)景和應(yīng)用領(lǐng)域主要依靠斷態(tài)電壓來(lái)區(qū)分，IGBT工作電壓范圍在650V至6500V之間，應(yīng)用于工業(yè)、新能源汽車家電、新能源發(fā)電等領(lǐng)域。

4.互動(dòng)答疑與抽 獎(jiǎng)

預(yù)約好禮：前十名預(yù)約并參會(huì)的觀眾，將獲得電子游標(biāo)卡尺一份。

互動(dòng)抽 獎(jiǎng)：直播過程中，進(jìn)行三次隨機(jī)抽 獎(jiǎng)，在線觀眾將有機(jī)會(huì)獲得：京東電子卡、雙肩背包、工具組合等多重驚喜。